[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610009024.9 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1822397A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 钟江义晴;岩崎富生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/43;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器，其特征在于：基板是硅或者锗基板，上述基板上的隧道绝缘膜由高介电常数绝缘材料HfO2、ZrO2或者CeO2构成，上述隧道绝缘膜上的电荷蓄积部为纳米点状，上述纳米点由硅化物CoSi2或者NiSi2构成。
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