[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610006359.5 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1819265A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 小野寺孝二;中村光宏;西田知矢 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/04;H01L21/335;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF用开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)，在半导体基板(10)上备有包含具有异质结的半导体层而层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在半导体基板上的被元件分离区划分了的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管，其特征在于：上述元件分离区由导入了导电杂质的层构成，在上述元件分离区上，在上述场效应晶体管的周围的至少一部分上述元件分离区表面上，形成有施加正电压的电极。
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