[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序有效
| 申请号： | 200610003291.5 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1822315A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 中村博;小林俊之;早坂伸一郎;贝瀬精一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/205;C23C16/44;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的基板处理装置(100)具备导入气体后进行规定的处理的多个处理室(200A、200B等)；分别设置在所述各处理室中的排气系统(220A、220B等)；和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统(310)，其中，共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统(320)与非除害共同排气系统(330)，除害共同排气系统(320)通过除害部件(340)对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出，非除害共同排气系统(330)不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气，设置控制部件(400)，根据各处理室进行的处理的种类，进行除害共同排气系统与非除害共同排气系统的切换控制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 控制 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：导入气体并进行规定的处理的多个处理室；分别设置在所述各处理室中的排气系统；连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统，其中，所述共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统和非除害共同排气系统，除害共同排气系统通过除害部件对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出，非除害共同排气系统不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气，还具有根据所述各处理室进行的处理的种类，进行所述除害共同排气系统与所述非除害共同排气系统的切换控制的控制部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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