[发明专利]具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法无效
| 申请号： | 200610003071.2 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101017864A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨少延;杨霏;李成明;范海波;陈涌海;刘志凯;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0248;H01L31/18;H01L29/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超薄 碳化硅 中间层 硅基可协变 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C-SiC中间层，该超薄3C-SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C-SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
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