[发明专利]高速率半导体光发射组件的封装结构及方法有效
| 申请号： | 200610003069.5 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101017956A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴德馨;杨成樾;李宝霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/022;H01S5/024;H01S5/00;H01L25/00;H01L23/00;H01L21/50;G02B6/00;H04B10/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 速率 半导体 发射 组件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于高速率半导体光发射组件的封装结构，其特征在于，该封装包括：一带有射频连接头(2)的蝶形管壳；一半导体致冷器焊(8)结在管壳里面；一KOVAR金属热沉(9)焊结在半导体致冷器(8)上；一带有用于将高频信号输入到光发射器件的共面波导传输线、匹配电阻以及直流接线电极的介质热沉基片(3)；一光发射器件(5)和一热敏电阻烧结在介质热沉基片(3)上；一连接射频连接头(2)的带共面波导传输线的介质基片(1)；一光学耦合组件；介质热沉基片(3)及一背光检测探测器(7)焊结在KOVAR金属热沉(9)上；用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片(3)和介质基片(1)上的共面波导传输线。
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