[发明专利]半导体结构及制造半导体结构的方法

摘要

本发明提供了一种使不同类型的器件被制作在混合衬底的提高各类型器件性能的特定晶向上的集成半导体器件的方法。具体地说，本发明提供了一种使pFET位于平坦混合衬底的(110)晶面上而nFET位于(100)晶面上的集成半导体器件的方法。本发明的方法还改善了用埋置绝缘体和反掺杂层的组合产生的类SOI器件的性能。本发明还涉及到利用本发明的方法形成的半导体结构。

主权项

1.一种半导体结构，它包括：第一半导体区，它包括具有第一晶向的第一半导体材料；第二半导体区，它包括具有第二晶向的第二半导体材料，其中，所述第一晶向不同于所述第二晶向，且所述第一半导体材料和所述第二半导体材料具有基本上彼此共平面的上表面；存在于所述各半导体材料之一下方的连续的埋置绝缘层；以及存在于所述另一半导体材料下方的不连续的埋置绝缘层，其中存在至少一个在产生赝式SOI区的埋置绝缘层中提供不连续性的反掺杂区。