[发明专利]半导体元件之制造方法无效
| 申请号： | 200610002365.3 | 申请日： | 2006-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1825562A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 鲁定中;曾鸿辉;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件之制造方法，其利用超临界流体，如二氧化碳(CO2)，来清洁形成于含硅介电材料层中之开口，并移除用以制造开口之蚀刻工艺中所产生之有机聚合残余物。上述之开口可为接触窗开口、介层窗开口或其它开口，且开口之剖面面积可小于0.2平方微米或0.1平方微米。于利用超临界流体进行清洁后，利用原子层化学气相沉积工艺来形成薄阻障层于开口中。形成导电材料层于阻障层上，用以提供超大规模集成电路(VLSI)元件具增进之接触电阻的接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件之制造方法，其特征是至少包括：形成开口，至少延伸至含硅介电层中；利用超临界相物质清洁该开口；利用原子层化学气相沉积工艺沉积阻障材料层于该开口中；以及形成导电层于该阻障材料层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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