[发明专利]空心柱型电容器及其制造方法有效
申请号: | 200610001628.9 | 申请日: | 2006-01-18 |
公开(公告)号: | CN101005074A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 李亨元;何青原;李隆盛;梁虔硕 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 薛平 |
地址: | 台湾省新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种空心柱型电容器,至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞,有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别围绕于各个空心柱型下电极的外围,其中围绕于两相对空心柱型下电极的结构层互不接触,而围绕于两相邻空心柱型下电极的结构层则互相连接。此外,上电极分别覆盖于各个空心柱型下电极,电容介质层则位于每个上电极与每个空心柱型下电极之间。因为结构层的关系,所以能够改善整个空心柱型电容器的机械强度,并可增加电容器密度。 | ||
搜索关键词: | 空心 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种空心柱型电容器的制造方法,其特征是包括:提供衬底,该衬底具有插塞;于该衬底上依次形成第一介质层、结构层、第二介质层以及蚀刻中止层;于该第一介质层、该结构层、该第二介质层以及该蚀刻中止层中形成孔洞,该孔洞暴露出该插塞;于该衬底上形成导体层,覆盖该蚀刻中止层与该孔洞的内表面;移除该孔洞顶部的该导体层,以露出部分该第二介质层,其中保留下来的该导体层就当作下电极;各向同性蚀刻露出的部分该第二介质层,以于该孔洞顶部形成开口;移除该蚀刻中止层;于该开口和该孔洞内填满材料层;移除该第二介质层;以该材料层作为掩膜,各向异性蚀刻该结构层,并露出部分该第一介质层;移除该第一介质层,以完全露出该下电极;于该下电极表面形成电容介质层;以及于该电容介质层表面形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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