[发明专利]空心柱型电容器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610001628.9 申请日: 2006-01-18
公开(公告)号: CN101005074A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 李亨元;何青原;李隆盛;梁虔硕 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人: 薛平
地址: 台湾省新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种空心柱型电容器,至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞,有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别围绕于各个空心柱型下电极的外围,其中围绕于两相对空心柱型下电极的结构层互不接触,而围绕于两相邻空心柱型下电极的结构层则互相连接。此外,上电极分别覆盖于各个空心柱型下电极,电容介质层则位于每个上电极与每个空心柱型下电极之间。因为结构层的关系,所以能够改善整个空心柱型电容器的机械强度,并可增加电容器密度。
搜索关键词: 空心 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种空心柱型电容器的制造方法,其特征是包括:提供衬底,该衬底具有插塞;于该衬底上依次形成第一介质层、结构层、第二介质层以及蚀刻中止层;于该第一介质层、该结构层、该第二介质层以及该蚀刻中止层中形成孔洞,该孔洞暴露出该插塞;于该衬底上形成导体层,覆盖该蚀刻中止层与该孔洞的内表面;移除该孔洞顶部的该导体层,以露出部分该第二介质层,其中保留下来的该导体层就当作下电极;各向同性蚀刻露出的部分该第二介质层,以于该孔洞顶部形成开口;移除该蚀刻中止层;于该开口和该孔洞内填满材料层;移除该第二介质层;以该材料层作为掩膜,各向异性蚀刻该结构层,并露出部分该第一介质层;移除该第一介质层,以完全露出该下电极;于该下电极表面形成电容介质层;以及于该电容介质层表面形成上电极。
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