[发明专利]单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 200580050178.6 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101203634A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的生长方法，在通过卓克拉尔斯基法生长所述单晶硅时，在生长中的单晶硅的至少一部分负荷热应力，生长单晶的气氛气体含有含氢原子物质气体。
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