[发明专利]单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 200580050178.6 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101203634A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅的生长方法，在通过卓克拉尔斯基法生长所述单晶硅时，在生长中的单晶硅的至少一部分负荷热应力，生长单晶的气氛气体含有含氢原子物质气体。
2.权利要求1所述的单晶硅生长方法，其中所述热应力为30MPa以上。
3.权利要求1所述的单晶硅生长方法，所述热应力为40Mpa以上。
4.权利要求1所述的单晶硅生长方法，所述含氢原子物质气体为氢气。
5.权利要求1所述的单晶硅生长方法，所述气氛气体中的含氢原子物质气体的氢分子分压为40～400Pa。
6.通过权利要求1～5任一项所述的单晶硅生长方法制造的单晶硅。
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