[发明专利]修正半导体处理中晶片晶体切片误差的方法

摘要

本发明涉及到计算离子注入系统中的晶体切割误差数据，从而便于更精确地离子注入。本发明的一个或多个方面也考虑到由在被掺杂的晶片表面上形成的特征导致的可能的屏蔽效应。根据本发明的一个或多个方面，晶体切割误差数据和可选的特征数据也周期性地被前馈到一个或多个离子注入平台或系统中以确定关于工件如何重新定向离子束以实现所需的注入结果。

主权项

1.一种计算离子注入系统中晶体切割误差的方法，包括：获得与晶片的机械表面相对于离子束的取向相关的数据，在晶片表面上引导该离子束以在晶片的选择位置中注入离子；获得与晶片表面上形成的特征相关的数据，包括在特征之间存在的各自间隔；确定在给定取向数据和特征数据的离子注入期间可能产生的相应屏蔽效应等级；如果有的话，确定对离子束和晶片表面之间的相对取向进行什么样的调整以充分地减轻可能的屏蔽效应；获得与晶片的机械表面相对于晶片的实际晶格结构的取向相关的切割误差数据；确定由给定取向数据和切割数据的离子注入可能产生的沟道效应的严重程度；如果有的话，确定对离子束和晶片表面之间的相对取向进行什么样的调整以实现所需的沟道效应；确定减轻屏蔽效应的所建议调整和所建议的沟道效应调整是否一致；如果所建议的调整不一致，则确定离子束和晶片表面之间可接受的相对重新定向；和如所需地调整离子束和晶片表面之间的相对取向。