[发明专利]降低半导体晶片中的陷阱密度的方法有效
| 申请号： | 200580046141.6 | 申请日： | 2005-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101124666A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·布吕尼耶;维维安·雷诺;马克·韦希特尔 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及降低半导体晶片中的陷阱密度的方法。该方法用于降低多层半导体晶片的有源层与所述有源层之下的埋在所述多层晶片内的绝缘层之间的界面处的陷阱密度，所述方法包括在受控气氛中对所述多层晶片执行高温热处理，所述热处理包括在氧化温度下在至少包括氧化物质的受控气氛中执行的氧化阶段，并且导致以覆盖氧化层覆盖所述晶片的表面，所述方法还包括在所述热处理之后的去除在所述氧化阶段期间生成的所述覆盖氧化层的脱氧操作，该方法的特征在于，在所述热处理期间以及在所述氧化阶段之后，控制所述受控气氛，以在大致中性的气氛中至少包括这样的物质，该物质的离子可以向下迁移到所述晶片内的期望降低陷阱密度的所述界面处的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 晶片 中的 陷阱 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低多层半导体晶片的有源层与所述有源层之下的埋在所述多层晶片内的绝缘层之间的界面处的陷阱密度的方法，所述方法包括在受控气氛中对所述多层晶片执行高温热处理，所述热处理包括在氧化温度下在至少包括氧化物质的受控气氛中执行的氧化阶段，并且导致以覆盖氧化层覆盖所述晶片的表面，所述方法还包括在所述热处理之后的去除在所述氧化阶段期间生成的所述覆盖氧化层的脱氧操作，所述方法的特征在于，在所述热处理期间以及在所述氧化阶段之后，控制所述受控气氛，以在大致中性的气氛中至少包括这样的物质，该物质的离子可以向下迁移到所述晶片内的期望降低陷阱密度的所述界面处的深度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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