[发明专利]绝缘膜半导体装置及方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，以实现更小的低压晶体管，同时保持高压晶体管的特性。通过选择性地存留第一元件隔离绝缘膜(2)来隔离第一晶体管形成区。第二晶体管形成区由经选择性氧化的第二元件隔离绝缘膜(3)来隔离。在由第一元件隔离绝缘膜(2)隔离的区上，形成具有第一沟道形成区、第一源极/漏极区(12、13、14)和为第一膜厚的第一栅极绝缘膜(16)及第一栅电极(17)的第一晶体管(Tr1)。在由第二元件隔离绝缘膜(3)隔离的区上，形成具有第二沟道形成区、第二源极/漏极区(32、41)、厚度小于所述第一膜厚的第二栅极绝缘膜(33、42)、及第二栅电极(34、43)的第二晶体管(Tr3、Tr4)。

主权项

1、一种半导体装置，其包括：半导体衬底；第一元件隔离绝缘膜，其形成并选择性地存留在所述半导体衬底上，以为第一晶体管形成区执行元件隔离；第二元件隔离绝缘膜，其通过对所述半导体衬底的表面层进行选择性氧化来形成，以为第二晶体管形成区执行元件隔离；第一晶体管，其形成于由所述第一元件隔离绝缘膜隔离的所述区中，并具有形成在所述半导体衬底上的第一沟道形成区和第一源极/漏极区、形成在所述第一沟道形成区上的具有第一膜厚的第一栅极绝缘膜、及形成在所述第一栅极绝缘膜上的第一栅电极；及及第二晶体管，其形成于由所述第二元件隔离绝缘膜隔离的所述区中，并具有形成在所述半导体衬底上的第二沟道形成区和第二源极/漏极区、具有小于所述第一膜厚的第二膜厚并形成在所述第二沟道形成区上的第二栅极绝缘膜、及形成在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极。