[发明专利]半导体装置和整流装置无效
| 申请号： | 200580040266.8 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101065848A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·施皮茨;A·格拉赫;G·沃尔夫;M·米勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/08;H01L25/07 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种半导体装置，特别是高效率—肖特基—二极管(HED)和具有这种半导体装置的整流器装置。高效率—肖特基—二极管(HED)由至少一个肖特基二极管组合以另外的半导体元件、特别是磁敏元件(TMBS)或者pn二极管(TJBS)来构成并且具有沟槽或者槽。这种高效率—肖特基—二极管没有势垒降低，并且因此具有这样的总损耗功率，相对于传统的二极管，该总损耗功率较小，特别是在较高温度的情况下。由此，可以构造这样的整流器，其适合于较高的温度并且因此可以使用在机动车发电机中，而无需特别的冷却措施如冷却体。高效率—肖特基—二极管与另外的半导体元件的组合能够实现整流器的特殊的构造以及其与确定要求的匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 整流 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，包括一个高效率-肖特基-二极管HED，该高效率-肖特基-二极管具有一个单片地集成在一个半导体芯片上的、由至少一个肖特基二极管与另外的半导体元件构成的组合，其中该半导体芯片具有槽或者沟槽结构。
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