[发明专利]包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层无效
| 申请号： | 200580038832.1 | 申请日： | 2005-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101218684A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | N·A·小博杰尔祖克;C·小伽布拉尔;E·A·卡蒂尔;M·M·弗兰克;E·P·古塞夫;S·古哈;P·C·杰米森;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/76;H01L29/94;H01L31/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的Vt稳定层。该Vt稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 通过 沉积 金属 氧化物 形成 电压 控制 场效应 晶体管 栅叠层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有位于其中的源和漏扩散区域，所述源和漏扩散区域被器件沟道隔开；以及位于所述器件沟道上的栅叠层，所述栅叠层包括栅介质、Vt稳定层和栅电极，所述Vt稳定层位于所述栅介质和所述栅电极之间，其能够将所述结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并且包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其中，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底或所述栅介质中的至少一个含氮。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580038832.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高分子聚合物电解质高温电池隔离膜
- 下一篇：一种电池隔膜及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
