[发明专利]为介质CVD膜实现晶片间厚度均匀性的高功率介质干燥

摘要

本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。

主权项

1.一种对沉积室进行干燥的方法，包括：在所述室的至少一个内部表面上沉积一种或多种无碳材料的一个或多个层；然后将一个或多个衬底传送到所述沉积室中；然后在所述室中的至少一个衬底上沉积一种或多种有机硅材料的一个或多个层。