[发明专利]为介质CVD膜实现晶片间厚度均匀性的高功率介质干燥

权利要求书

1.一种对沉积室进行干燥的方法，包括：

在所述沉积室的至少一个内部表面上沉积至少一层无碳材料；

在所述无碳材料上沉积含碳材料；

将至少一个衬底传送到所述沉积室中；然后

在所述沉积室内的所述至少一个衬底上沉积至少一层有机硅材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种无碳材料包括从由下列项构成的组中选择的化合物：

无定形硅；

硅氮化物；

硅氧化物；

硅氧氮化物；以及

它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积来沉积所述一种或多种有机硅材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种含碳材料包括从由下列项构成的组中选择的化合物：

有机硅化合物；

无定形碳；

氢化无定形碳；

卤化无定形碳；以及

它们的组合。

5.一种对沉积室进行干燥的方法，包括：

在所述沉积室的至少一个内部表面上沉积至少一层无碳材料；

在所述无碳材料上沉积含碳材料；

将至少一个衬底传送到所述沉积室中；然后

在所述沉积室内的所述至少一个衬底上沉积至少一层有机硅材料，其中，所述至少一层无碳材料包括硅氮化物。

6.一种对沉积室进行干燥的方法，包括：

在所述沉积室的至少一个内部表面上沉积至少一层无碳材料；

在所述无碳材料上沉积含碳材料；

将至少一个衬底传送到所述沉积室中；然后

在所述沉积室内的所述至少一个衬底上沉积至少一层有机硅材料，其中，在所述室的所述至少一个内部表面上沉积至少一层无碳材料的步骤包括等离子体激发，以高于约1000W的能量水平产生所述等离子体。

7.一种用于对沉积室进行干燥的方法，包括：

用等离子体清洁所述沉积室；

在所述沉积室的至少一个内部表面上沉积至少一层无碳、含硅材料；以及

在所述沉积室内的至少一个衬底上沉积至少一层有机硅材料，其中至少一层无碳、含硅材料包括硅氮化物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述等离子体产生于从由下列项构成的组中选择的位置：

所述室；

所述室的远程；以及

它们的组合。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述等离子体清洁的步骤包括：引入包括氟的一种或多种蚀刻性气体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种蚀刻性气体中至少其一是NF₃。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述等离子体清洁的步骤包括：引入包括氧的蚀刻性气体。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，以约100W到约250W的能量水平产生所述等离子体。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，在低于约3Torr的室压力下执行所述等离子体清洁的步骤。

14.一种用于对沉积室进行干燥的方法，包括：

在所述沉积室的至少一个内部表面上沉积至少一层无碳材料；以及

在所述无碳材料上沉积至少一层含碳材料，其中所述含碳材料选自由以下材料形成的组：有机硅化合物、无定形碳、氢化无定形碳、卤化无定形碳、其组合以及其衍生物。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在沉积所述无碳材料和含碳材料之前，将伪衬底放入所述沉积室中。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括：在沉积所述含碳材料后，将至少一个衬底传送到所述沉积室。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：在所述衬底上沉积有机硅材料。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述无碳材料包括选自由以下材料形成的组：无定形硅、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物、其组合以及其衍生物。