[发明专利]具有可调能带带隙的半导体装置无效
| 申请号： | 200580037002.7 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101048881A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | A·R·巴尔克南德;E·P·A·M·巴克斯;L·F·费纳 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G11C13/02;H01L29/12;H01S5/34;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可调 能带 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置，该装置包括：至少一个半导体纳米线(306)；压电材料(307)；布置在压电材料处的电极(313)，经由该电极施加电压以引起压电材料变形；其中所述至少一个半导体纳米线被布置成与所述压电材料机械接触，并且所述变形对所述至少一个半导体线施加应力，这引起半导体纳米线的能带带隙改变。
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