[发明专利]用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200580033930.6 | 申请日: | 2005-10-05 |
公开(公告)号: | CN101053078A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 冈田真一;菅原良孝;浅野胜则;高山大辅;东海林义和;谢名堂正;末吉孝;日渡谦一郎 | 申请(专利权)人: | 关西电力株式会社;株式会社艾迪科 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽;李晓舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在将密封用树脂涂敷在封装或者衬底上所安装的耐高压半导体芯片上,并使其固化时,在芯片电极或者芯片通过引线等布线所连接的电极端子的至少一个和与该电极端子之间需要绝缘耐压的另一个电极之间,一边施加高电压一边使树脂固化。密封用树脂使用合成高分子化合物,该化合物将具有由硅氧烷产生的交链结构的有机硅聚合物A和具有由硅氧烷(Si-O-Si键合体)产生的线状链接结构的有机硅聚合物B交替地通过硅氧烷键合而被线状地链接,从而构成有机硅聚合物C,并以共价键进行三维链接。由此,即使在安装于衬底或者封装上并且用树脂密封的耐高压半导体芯片上施加了高反向电压时,也能够抑制漏电流的增大和获得设计值那样的电绝缘耐久性。 | ||
搜索关键词: | 树脂 覆盖 高压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种耐高压半导体器件,具有:耐高压半导体元件,其包括至少两个相互间需要高耐压的电极;第一引线,其连接到所述至少两个电极的一个上;第二引线,其连接到所述至少两个电极的另一个上;以及树脂覆盖材料,将其以覆盖所述耐高压半导体元件、所述电极以及所述第一和第二引线的所述各个电极之间的连接部分附近而进行涂敷,并且将规定的直流电压施加在所述第一和第二引线上,同时使其固化。
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