[发明专利]半导体发光元件及其制造方法和安装方法、发光器件

摘要

本发明的LED芯片(1)具有如下结构：n型半导体层(12)和p型半导体层(13)相继形成在元件衬底(11)的下表面上，p型半导体层(13)形成在除用于n电极的区域(12a)之外的区域上。第一n电极(14)形成在用于n电极的区域(12a)上，第一p电极(15)形成在p型半导体层(13)上。具有开口(16a)和(16b)的第一绝缘层(16)形成在第一n电极(14)和第一p电极(15)上，具有实质上相同尺寸的第二n电极(17)和第二p电极(18)形成在第一绝缘层(16)上。采用这种配置，可以使n型半导体层(12)上的电极大，从而可以通过使用焊料(31)以低成本执行将LED芯片(1)安装到电路板(40)上的安装工艺。

主权项

1.一种半导体发光元件，包括：透光元件衬底；n型半导体层，形成在所述元件衬底上以覆盖所述元件衬底；p型半导体层，形成以覆盖除所述n型半导体层上用于n电极的区域之外的所述n型半导体层上的区域，并用于与n型半导体层协同发光；第一n电极，是形成在所述n型半导体层的用于n电极的区域上的薄膜；第一p电极，是形成在所述p型半导体层上的薄膜；第一绝缘层，形成以将所述第一n电极与所述第一p电极彼此绝缘；第二n电极，在所述第一n电极和所述第一绝缘层上形成为具有比所述n型半导体层与所述第一n电极之间的接合面大的面积的薄膜，以将所述第二n电极与所述第一n电极电连接，所述第一绝缘层将所述第二n电极与所述第一p电极绝缘；以及第二p电极，形成为具有比所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的接合面小的面积的薄膜，所述第二p电极与所述第一p电极电连接。