[发明专利]半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200580032510.6 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101027755A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 横川功;能登宣彦;三谷清 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L27/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1－XGeX层(0＜X＜1＝，然后在该已经磊晶成长后的Si1－XGeX层上，形成Si1－YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1－XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1－YGeY层残存的方式，使Si1－YGeY层氧化。藉此，利用短时间的热处理，便能够充分地进行SGOI晶片的SiGe层的晶格弛豫，而能够提供一种能够降低制造成本的半导体晶片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的制造方法，其包含：至少在SOI晶片上，先磊晶成长Si1-XGeX层(0＜X＜1)，然后在该已经磊晶成长后的Si1-XGeX层上，形成Si1-YGeY层(0≤Y＜X)后，通过氧化热处理，浓缩上述磊晶成长后的Si1-XGeX层的Ge，而作成浓缩SiGe层的步骤；上述氧化热处理，至少是在氧化性气氛下，从950℃以下开始，在升温至950℃的期间，以使上述形成的Si1-YGeY层残存的方式，使Si1-YGeY层氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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