[发明专利]包括金属栅电极的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200580029796.2 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101010798A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;M·多齐;S·达塔;U·沙阿;B·多勒;R·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成于第一层上并比第一层宽。在去除牺牲层以生成沟槽后，在沟槽中形成金属栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属 电极 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成介电层；在所述介电层上形成包括第一层和第二层的牺牲结构，所述第二层形成于所述第一层上，且所述第二层比所述第一层宽；去除所述牺牲结构以生成沟槽；然后在所述沟槽中形成金属栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
