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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910253860.5有效
发明人： B·博亚诺夫;A·梅希;B·多勒;R·肖 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明各实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，该器件硅材料选择生长层，适用作Si1-XGeX材料的第一区域上的第一电路器件的第一沟道，以限定缓变弛豫硅锗材料的基片的第一界面表面，其中，所述硅材料的晶格间距比所述第一界面上Si1-XGeX材料的晶格间距小；以及Si1-YGeY材料层，适用作Si1-XGeX材料的第二区域上的第二电路器件的第二沟道，以限定缓变弛豫硅锗材料的基片的第二界面表面，其中，所述Si1-YGeY材料层的晶格间距比所述第二界面上Si1-XGeX材料的晶格间距大。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]片上存储单元及其制造方法-CN200880009695.2有效
发明人： S·达塔;J·卡瓦利罗斯;B·多勒;D·索马瑟科哈;A·凯沙瓦兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种片上存储单元包括三栅存取晶体管(145)和三栅电容器(155)。片上存储单元可以是三维三栅晶体管和电容器结构上的嵌入式DRAM，它与现有三栅逻辑晶体管制造工艺完全兼容。本发明的实施例使用高垂直面纵横比和固有的较大表面积的三栅晶体管，从而用反向模式三栅电容器来替换商品DRAM中的“沟槽”电容器。三栅晶体管的高侧壁提供了足够大的表面积，以在小的单元面积上提供存储电容。
存储单元及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及形成半导体结构的方法-CN200680021817.0有效
发明人： J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;B·多勒;U·沙阿;S·达塔;A·马宗达;R·乔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：描述了一种图案化半导体膜的方法。根据本发明的一个实施例，在具有全局晶体取向的半导体膜上形成硬掩模材料，其中半导体膜具有第一晶面和第二晶面，其中第一晶面比第二晶面密度高，并且其中硬掩模在第二晶面上形成。接着，将硬掩模和半导体膜图案化成硬掩模覆盖的半导体结构。然后，将硬掩模覆盖的半导体结构暴露于具有足以蚀刻第二晶面的化学强度但不具有足以蚀刻第一晶面的化学强度的湿法蚀刻过程。
半导体器件结构形成半导体方法

[发明专利]包括金属栅电极的半导体器件的制造方法-CN200580029796.2有效
发明人： J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;M·多齐;S·达塔;U·沙阿;B·多勒;R·乔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成于第一层上并比第一层宽。在去除牺牲层以生成沟槽后，在沟槽中形成金属栅电极。
包括金属电极半导体器件制造方法

[发明专利]用于CMOS的应变晶体管集成-CN200480037017.9无效
发明人： B·博亚诺夫;A·梅希;B·多勒;R·肖 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明各实施例涉及一种CMOS器件，该器件具有(1)选择性沉积在缓变硅着基片的第一区域上的硅材料的NMOS材料，使得选择性沉积硅材料承受由于该硅材料的晶格间距比第一区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距小而产生的拉伸应变，以及(2)选择性沉积在基片的第二区域上的硅锗材料的PMOS沟道，使得选择性沉积硅锗材料承受由于该选择性沉积硅锗材料的晶格间距比第二区域上的缓变硅锗基片材料的晶格间距大而产生的压缩应变。
用于 cmos 应变晶体管集成

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