[发明专利]氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质无效
| 申请号： | 200580029122.2 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101010787A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 小林岳志;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5％，同时进行多晶硅的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 半导体 装置 制造 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种氧化膜的形成方法，其特征在于：是一种至少具有多晶硅层和形成在该多晶硅层上的氧化膜的半导体装置中的、所述氧化膜的形成方法，包括如下工序，通过由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的等离子体处理装置，使用包含稀有气体和氧气、并且氧气相对稀有气体的比例为0.5～5％的处理气体，对所述多晶硅层实施等离子体处理，形成氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
