[发明专利]MOSFET器件及其相关操作方法无效
| 申请号： | 200580025637.5 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101069347A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | K·赫彭斯塔尔;A·R·布朗;I·肯尼迪;A·C·H·科;S·T·皮克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET器件(10)，其具有体二极管结构(22)并提供有偏置装置，该偏置装置用于在体二极管结构(22)的反向恢复期间提供选择性施加到MOSFET(12)栅极的偏置电压，以便减小与体二极管结构(22)有关的反向恢复瞬态信号，偏置装置包括设置在器件(10)的栅极路径中的二极管器件(16)。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 及其 相关 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOSFET器件(10)，其具有体二极管结构(22)并包括偏置装置，该偏置装置用于在体二极管结构(22)的反向恢复期间提供选择性施加到MOSFET(12)栅极的偏置电压，以便减小与体二极管结构(22)有关的反向恢复瞬态信号，偏置装置包括设置在器件的栅极路径中的二极管器件(16)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580025637.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：楔块式汽车减阻器
- 下一篇：一种用于镁法生产海绵钛的反应罐大盖
