[发明专利]制备高质量化合物半导体材料的沉积技术有效
| 申请号： | 200580022204.4 | 申请日： | 2005-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101006548A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王望南;沙基·依格雷维奇·斯蒂帕诺夫 | 申请（专利权）人： | 王望南 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 霍育栋;颜涛 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 通过利用特殊的氢化物气相外延沉积法可以有利地获得沉积层。在此方法中，具有延长的扩散层、均匀化隔膜、侧壁气体清除器，以及独立的气体和衬底加热器的立式生长装置结构被用于Ⅲ－Ⅴ和Ⅵ化合物半导体的沉积。气流均匀地混合通过延长的扩散层并被引导从而使其接触衬底的整个表面，以生成高质量和均匀的膜。这种气流结构的例子是衬底的位置在自气体出口的一定距离，所述距离允许延长的扩散层以及隔膜放置在使对流效应的影响降至最低并提高均匀性的自衬底上方的近距离。此对称结果使得从单晶片容易扩大到多晶片系统。此立式结构允许在不同的反应气体前驱体之间快速转换，从而可以采用时间调节生长和蚀刻法以进一步最小化沉积材料的缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 质量 化合物 半导体材料 沉积 技术 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底表面上形成材料层的化学气相沉积法，包括使用柱形立式氢化物气相外延(HVPE)生长反应器，其具有延长的扩散层、均匀化隔膜、独立的侧壁气体加热器和衬底加热器、柱形侧壁气体清除管道和柱形侧壁气体出口缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
