[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200580021240.9 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1973367A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 池田敦;中川秀夫;青井信雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有在衬底上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜中形成的埋入金属布线、以及在所述绝缘膜和所述金属布线之间形成的金属阻挡膜，其中：所述金属阻挡膜，包括自所述绝缘膜所在的那一侧朝着所述金属布线所在的那一侧依次叠层的金属氧化物膜、金属化合物膜以及金属膜，所述金属化合物膜的弹性率大于金属氧化物膜的弹性率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580021240.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有LC滤波器的换能器控制
- 下一篇：数据中心冷却系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
