[发明专利]半导体密封用树脂片以及使用其的半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200580017069.4 | 申请日: | 2005-05-26 |
公开(公告)号: | CN1957452A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 篠田智则;山崎修 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C08J7/04;C08L101/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了密封经倒装式接合的器件时不产生气穴,或者密封经引线接合的器件时不引起引线的变形或者断线的半导体密封用树脂片以及使用该树脂片的半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体密封用树脂片由支撑片以及在该支撑片上可剥离地层叠的密封树脂层形成,该密封树脂层具有热固化性,热固化前的密封树脂层的弹性模量为1.0×103~1.0×104Pa,热固化前的密封树脂层在120℃下的熔融粘度为100~200Pa·秒,将热固化前的密封树脂层维持在120℃时,熔融粘度到达最小值的时间在60秒以下。 | ||
搜索关键词: | 半导体 密封 树脂 以及 使用 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体密封用树脂片,其特征在于,由支撑片以及在该支撑片上可剥离地层叠的密封树脂层形成,该密封树脂层具有热固化性,热固化前的密封树脂层的弹性模量为1.0×103~1.0×104Pa,热固化前的密封树脂层在120℃下的熔融粘度为100~200Pa·秒,将热固化前的密封树脂层维持在120℃的温度时,熔融粘度达到最小值的时间在60秒以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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