[发明专利]多孔金刚石膜的制造无效
| 申请号： | 200580016983.7 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1957469A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 克拉马哈提·拉维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;C23C16/56;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法包括在衬底上形成金刚石层，其中所述金刚石层的部分包括缺陷；以及随后通过从所述金刚石层去除缺陷，在所述金刚石层中形成孔。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 金刚石 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成微电子结构的方法，包括：在衬底上形成金刚石层，其中所述金刚石层包括缺陷；以及通过从所述金刚石层去除实质量的所述缺陷，在所述金刚石层中形成孔。
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