[发明专利]切割用芯片粘贴薄膜有效
申请号: | 200580000511.2 | 申请日: | 2005-03-15 |
公开(公告)号: | CN1806326A | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 畠山惠一;宇留野道生;松崎隆行;盛岛泰正;喜多贤二;石渡伸一 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社;古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;C09J7/02;C09J133/14;C09J157/00;C09J161/10;C09J161/28;C09J163/00;C09J175/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜,在进行切割时,其可作为切割用胶带使用,从而在进行取出时,半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离,且接着剂层在作为粘晶材料时,具有足够的接着性。前述粘合剂层包含:分子中含有碘值为0.5~20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A),和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含:环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5~6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。 | ||
搜索关键词: | 切割 芯片 粘贴 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种切割用芯片粘贴薄膜,其为在基底膜上依序形成粘合剂层和接着剂层而形成的切割用芯片粘贴薄膜,其特征在于:所述粘合剂层,包括:化合物(A),为分子中含有碘值为0.5~20的放射线硬化型碳-碳双键的化合物;以及化合物(B),为选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中的至少一化合物;所述接着剂层,包括:环氧树脂(a);酚醛树脂(b),其羟基的当量为大于等于150g/eq;含有环氧基的丙烯酸共聚物(c),其重均分子量在10万以上,含有0.5~6重量%的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯;填充剂(d);以及硬化促进剂(e)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造