[发明专利]用于从基片去除多余模制材料的等离子处理方法有效
| 申请号： | 200510136212.3 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1825546A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·D·格蒂;赵建钢 | 申请（专利权）人： | 诺信公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于从基片上的区域去除两种成分的模制材料的薄层的方法，该方法包括使用由第一气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的一种成分，并且使用由不同的第二气体混合物形成的等离子体来去除模制材料的另一种成分。对于通常用作模制材料的填充的环氧树脂，第一气体混合物可以是含氧气体种类和含氟气体种类的富氧混合物，而第二气体混合物可以是相同气体的富氟混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 多余 制材 等离子 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从基片上的区域去除两种成分的模制材料量的方法，包括：将所述基片暴露于第一等离子体，所述第一等离子体对于以比去除所述模制材料的第二成分更高的蚀刻速率从所述区域去除所述模制材料的第一成分是有效的；以及将所述基片暴露于第二等离子体，所述第二等离子体对于以比去除所述模制材料的第一成分更高的蚀刻速率从所述区域去除所述模制材料的第二成分是有效的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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