[发明专利]半导体基板的处理方法、半导体部件以及电子机器无效
| 申请号： | 200510133836.X | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1808697A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 松尾弘之;宫崎邦浩;中岛俊贵 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C11D7/08;C11D7/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体基板的处理方法，是使用含有NH4OH和HF的处理液对半导体基板进行处理的方法，当设处理液中的NH4OH的浓度为X[mol/L]，设处理液中的HF的浓度为Y[mol/L]时，满足0.30≤X/Y≤0.78的关系、以及0.03≤Y≤6.0的关系。处理液优选实质上不含H2O2。另外，供于本发明的处理方法的半导体基板，优选其表面附近的至少一部分由高熔点金属构成。由此，本发明提供一种能够选择性地去除在半导体基板的表面附近存在的污染物质(无用物质)的半导体基板的处理方法，提供一种使用这样的方法制造的可靠性高的半导体部件，另外还提供一种具备所述半导体部件的可靠性高的电子机器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 方法 部件 以及 电子 机器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体基板的处理方法，其使用含有NH4OH和HF的处理液对半导体基板进行处理，当设所述处理液中的NH4OH的浓度为X[mol/L]，设所述处理液中的HF的浓度为Y[mol/L]时，满足0.30≤X/Y≤0.78的关系、以及0.03≤Y≤6.0的关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510133836.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子显示装置及其驱动方法
- 下一篇：多元烧成助剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
