[发明专利]内存模块整合结构无效

专利信息
申请号: 200510132924.8 申请日: 2005-12-28
公开(公告)号: CN1992241A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 张弘 申请(专利权)人: 技嘉科技股份有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L25/00;H01L27/10;H05K7/20;G11C5/00;G06F1/00
代理公司: 上海虹桥正瀚律师事务所 代理人: 李佳铭
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种内存模块整合结构,可加速排除全缓冲双列直插式存储器模块的高速存储器缓冲芯片所产生的额外热量,包括至少一全缓冲双列直插式存储器模块以及一散热装置。所述全缓冲双列直插式存储器模块具有一第一板体、至少一内存模块、一高速存储器缓冲芯片以及一导热片。该内存模块设置于该第一板体之中,该高速存储器缓冲芯片附着于该内存模块之上,以及该导热片连接于该高速存储器缓冲芯片。所述散热装置设置于该全缓冲双列直插式存储器模块之上,并且连接于该导热片。所述高速存储器缓冲芯片运行所产生的热量经由该导热片传导至该散热装置,并且经由该散热装置传导至外界,避免产生服务器系统的过热现象。
搜索关键词: 内存 模块 整合 结构
【主权项】:
1.一种内存模块整合结构,其特征在于,包括:至少一全缓冲双列直插式存储器模块,具有一第一板体、至少一内存模块、一高速存储器缓冲芯片以及一导热片,其中,该内存模块设置于该第一板体之上,该高速存储器缓冲芯片附着于该第一板体之上,该导热片附着于该高速存储器缓冲芯片,其中:所述内存模块整合结构还包括一散热装置,设置于所述全缓冲双列直插式存储器模块之上,并且连接于所述导热片。
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