[发明专利]稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途有效
| 申请号： | 200510119064.4 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1807428A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;田洪坤;史建武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C07D409/14 | 分类号： | C07D409/14;C07D417/14;C07D333/04;C07D495/04;C07D513/04;H01L51/30 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A)其中 |
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| 搜索关键词： | 单元 齐聚 噻吩 迁移率 有机 半导体材料 用途 | ||
【主权项】：
1、一种稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料，其特征在于它具有如下结构通式：![]()
其中![]()
为包括以下结构通式的基团：![]()
其中![]()
为稠环单元封端基团。
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