[发明专利]自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法有效
| 申请号： | 200510110707.9 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971857A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;周贯宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，先利用CVD的方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP的方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。本发明可解决自对准硅化物阻挡层在多晶硅线条之间的填充能力问题，并有效克服针孔现象，达到降低漏电流的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物 阻挡 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自对准硅化物阻挡层的制作工艺方法，包括现有的自对准硅化物阻挡层的制作工艺，其特征在于：在生长二氧化硅层时，分两步进行，首先，利用CVD方法生长第一层二氧化硅，再利用HDP方法在第一层二氧化硅上面生长第二层二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
