[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108523.9 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1770489A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 青柳秀和;加藤隆志;松尾哲二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件包括具有导电性的支持衬底(1)和具有发光功能的半导体区(3)和光反射层(2)。半导体区(3)包括n型半导体层(6)、活性层(7)、p型半导体层(8)和p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)由Ag或Ag合金构成，且配置在半导体区(3)和支持衬底(1)之间。该光反射层(2)通过接合在半导体区(3)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第一粘贴层和在支持衬底(1)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第二粘贴层来形成。光反射层(2)的侧面(22)和半导体区(3)的侧面(23)的任一方或两方被用以抑制迁移的保护层(6)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其中包括：支持衬底；在所述支持衬底的一方主面配置且由金属或合金形成的导电体层；设有与所述导电体层电连接的一方主面和用以取出光的另一主面且至少包含所述一方主面侧配置的第一导电型半导体层和在所述另一主面侧配置的第二导电型半导体层的发光用半导体区；与所述半导体区的所述第二导电型半导体层连接的电极；以及覆盖所述导电体层的侧面和所述半导体区的侧面的任一方或两方且具有高于所述导电体层及所述半导体区的电阻率的保护层，以抑制所述导电体层中包含的金属的迁移导致的所述发光用半导体区的特性劣化。
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