[发明专利]沟渠式电容器及其制造方法有效
申请号: | 200510099162.6 | 申请日: | 2005-09-09 |
公开(公告)号: | CN1929142A | 公开(公告)日: | 2007-03-14 |
发明(设计)人: | 苏怡男;黄俊麒 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/02;H01L29/92;H01L21/8242;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种沟渠式电容器的制造方法,此方法是先提供衬底,且此衬底中已形成有至少一隔离结构。然后,于隔离结构侧边的衬底中分别形成第一沟渠与第二沟渠。接着,于第一沟渠与第二沟渠周围的衬底中分别形成第一下电极与第二下电极。之后,于第一沟渠与第二沟渠的表面分别形成第一电容介电层与第二电容介电层。然后,于第一沟渠与第二沟渠中分别填入第一上电极与第二上电极。然后,移除位于第一沟渠与第二沟渠之间的部分隔离结构,而于第一沟渠与第二沟渠之间形成开口。接着,于开口中填入导体层,此导体层电性连接第一上电极与第二上电极。 | ||
搜索关键词: | 沟渠 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种沟渠式电容器的制造方法,包括:提供一衬底,该衬底中已形成有至少一隔离结构;于该隔离结构侧边的衬底中分别形成一第一沟渠与一第二沟渠;于该第一沟渠与该第二沟渠周围的该衬底中分别形成一第一下电极与一第二下电极;于该第一沟渠与该第二沟渠的表面分别形成一第一电容介电层与一第二电容介电层;于该第一沟渠与该第二沟渠中分别填入一第一上电极与一第二上电极;移除位于该第一沟渠与该第二沟渠之间的部分该隔离结构,而于该第一沟渠与该第二沟渠之间形成一开口;以及于该开口中填入一导体层,该导体层电性连接该第一上电极与该第二上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的