[发明专利]半导体元件及其制造方法和电子部件单元

摘要

本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：(a)准备第1基板的工序；(b)在所述第1基板上方形成第1接合层而得到支撑基板的工序；(c)准备第2基板的工序；(d)在所述第2基板上形成半导体层的工序；(e)在所述半导体层上方形成第2接合层而得到半导体层叠结构的工序；(f)形成包含扩散材料的扩散材料层的工序，其利用下述工序中的至少一道工序形成扩散材料层：(f1)在所述工序(b)中，在所述第1基板上方形成扩散材料层，且在所述扩散材料层上方形成所述第1接合层的工序、和(f2)在所述工序(e)中，在所述半导体层上方形成扩散材料层，且在所述扩散材料层上方形成所述第2接合层的工序；和(g)接合所述支撑基板的所述第1接合层与所述半导体层叠结构的所述第2接合层而得到接合体的工序，其中包括：(g1)在所述第1或第2接合层中包含共晶材料，并将所述第1接合层与所述第2接合层混合而形成第1混合体的工序；(g2)将所述第1混合体与所述扩散材料层的扩散材料混合而形成熔融温度高于所述第1混合体的熔融温度的第2混合体的工序。