[发明专利]使用电极气密密封的高可靠性半导体装置有效
| 申请号： | 200510097621.7 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1744304A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 须贺唯知;伊藤寿浩 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;须贺唯知;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;索尼株式会社;株式会社东芝;日本电气株式会社;富士通株式会社;松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高可靠性的半导体装置，该装置不使用密封材料，而通过框架结构密封形成于基板上的电极以防止电极的劣化。本发明的框架结构密封形成于基板上的电极。框架结构内部为真空或者填充不与电极发生反应的气体，由此防止因氧气或水分而引起电极的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电极 气密 密封 可靠性 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：形成有一个或多个电极的第1基板、形成有一个或多个电极的第2基板以及框架结构，形成于第1基板上的一个或多个电极的每个电连接到形成于第2基板上的对应的一个或多个电极的每个上，框架结构包围形成于第1和第2基板上的电极，由此气密密封这些电极，第1基板和第2基板经由框架结构接合。
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