[发明专利]用于半导体器件的金属线及其制造方法无效
| 申请号： | 200510097527.1 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1925150A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 朱星中;李汉春 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种金属线及其制造方法，该金属线可通过使用CVD TiSiN形成用于铜线的防扩散层的阻挡金属而用于尺寸小于65nm的半导体器件结构。所述金属线包括：半导体基片，在其上形成有半导体器件；绝缘层，在对应于所述半导体器件的部分具有接触孔并且在所述半导体基片上形成；TiSiN阻挡金属层，在所述接触孔中形成；以及铜线，在所述TiSiN阻挡金属层上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 金属线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的金属线，包括：半导体基片，在其上形成有半导体器件；绝缘层，在对应于所述半导体器件的部分具有接触孔并且在所述半导体基片上形成；TiSiN阻挡金属层，其在所述接触孔中形成；以及铜线，其在所述TiSiN阻挡金属层上形成。
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