[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510089706.0 | 申请日： | 2005-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1734785A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 高石昌 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体装置，包括：在半导体基板上形成的第1导电型的漏区；设在该漏区上方、形成达至上述漏区的凹处的元件形成区域；配置在上述凹处内的栅电极；超结型结构部，其配置在上述元件形成区域内、贯通上述凹处的第1导电型的漂移层和与该漂移层连接同时使第2导电型的保留层在上述半导体基板上交替配置而形成；和上述第2导电型的基区，其在上述元件形成区域内，以与上述漂移层连接的方式配置在上述超结型结构上方、贯通上述凹处、借助于上述栅绝缘膜与上述栅电极对向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：在半导体基板上形成的第1导电型的漏区；设在该漏区上方、形成达至上述漏区的凹处的元件形成区域；配置在上述凹处内的栅电极；介于该栅电极和上述凹处的内壁面之间的栅绝缘膜；超结型结构部，其使配置在上述元件形成区域内、贯通上述凹处的第1导电型的漂移层和与该漂移层连接的同时与上述第1导电型不同的第2导电型的保留层在上述半导体基板上方交替配置而形成；上述第2导电型的基区，其在上述元件形成区域内、以与上述漂移层连接的方式配置在上述超结型结构上方、贯通上述凹处、借助于上述栅绝缘膜与上述栅电极对向；和源区，其在上述元件形成区域内、在上述基区上方形成、贯通上述凹处。
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