[发明专利]具有改善的能量脉冲等级的二极管无效
| 申请号： | 200510083799.6 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1722470A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | A·科甘;栾纪源;A·米科拉察克 | 申请（专利权）人： | 泰科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/58;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种能量脉冲钳位半导体二极管(16)包括：衬底(20)，其具有第一高浓度等级(例如n++)的第一导电类型的载流子，第一主表面和与该第一主表面相对的第二主表面；半导体材料层(22)，具有低于第一等级的第二浓度等级(例如n+)的第一导电类型的载流子，并且具有外表面；形成在外表面上的区域(26)，具有第三浓度等级(例如p+)的第二导电类型的载流子；至少一个单元，具有高于第三浓度等级(例如p++)的第四浓度等级的第二导电类型载流子；阴极电极(30)和阳极电极(28)。该二极管优选地包括在过电压保护电路中，该过电压保护电路包括与阴极电极串联连接且与二极管热连接的PPTC电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 能量 脉冲 等级 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：(a)半导体材料的平面衬底，具有第一高浓度等级的第一导电类型的载流子，第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；(b)半导体材料层，其作为和所述第一主表面相邻的所述衬底中或衬底上的其中之一，具有低于所述第一等级的第二浓度等级的所述第一导电类型的载流子，并具有外表面；(c)至少一个区域，其形成在所述外表面上且具有第三浓度等级的第二导电类型的载流子；(d)至少一个单元，其形成在所述外表面上且具有高于所述第三浓度等级的第四浓度等级的所述第二导电类型的载流子；(e)第一电极层，其形成在所述外表面上；以及(f)第二电极层，其形成在所述第二主表面上。
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