[发明专利]高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法

摘要

本发明所述的高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法，具体是在硅基的一面制造信号处理电路，在另一面制造光电二极管电路。背面的光电二极管与正面的读出电路不再相互争夺芯片面积，从而可以设计方便的优化读出电路；同时背面入射可以使填充系数接近100％，从光电二极管结构中最大的提高量子效率；与传统的CMOS图像传感器结构相比，发明的CIS图像传感器有更小的暗电流和像素之间的串扰。为了精确控制硅片减薄厚度，采用湿法自停止腐蚀，其可以有效的减小应力损伤。可以大幅度提高灵敏度和填充系数，从根本上解决填充系数低的缺点。

主权项

1、一种高填充系数的有源像素图像传感器结构，其特征在于，在硅基的一面制造信号处理电路，在另一面制造光电二极管电路。