[发明专利]制造半导体集成电路的方法有效
| 申请号： | 200510082103.8 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1889234A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 吴奕文;曾镇球 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/16;G01N21/95;G01N21/94;G01N21/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露一种制造半导体集成电路的方法，包括以下步骤：(1)提供一旋涂机器，包括用来固定并旋转晶片的转动平台、一用来将旋涂溶液提供至晶片表面的流体供应系统以及一固定在晶片上方的侦测器；(2)将旋涂溶液经由前述的流体供应系统倒到晶片表面中心位置并开始进行旋转涂布，在晶片表面形成旋涂材料层；以及(3)旋转前述的晶片，并以前述固定在晶片上方的侦测器所发出的入射光束扫描形成在晶片表面的旋涂材料层，然后以侦测器测量反射光束。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体集成电路的方法，包括以下步骤：提供一旋涂机器，包括用来固定并旋转晶片的转动平台、一用来将旋涂溶液提供至晶片表面的流体供应系统以及一固定在晶片上方的侦测器，其中前述的晶片的半径为R；将旋涂溶液经由前述的流体供应系统倒到晶片表面中心位置并开始进行旋转涂布，在晶片表面形成旋涂材料层；以及旋转前述的晶片，并以前述固定在晶片上方的侦测器所发出的入射光束扫描形成在晶片表面的旋涂材料层，然后以侦测器测量反射光束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
