[发明专利]半导体存储器件及其操作方法无效
| 申请号： | 200510074377.2 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1702771A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 石崎达也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种适合于突发传输的半导体存储器件，其用于改善数据写操作的灵活性。该半导体存储器件包括：存储器阵列(11)；一组写寄存器(22)；输入缓冲器(21)，其用于在突发周期期间顺序地接收一系列写数据，并且将所述写数据写入到所述写寄存器(22)的有关的写寄存器中；写释放寄存器(25)，其包含分别与所述写寄存器(22)有关的一组写释放标志；写释放寄存器控制器(3、24)，其响应被写入到所述写寄存器(22)的所述有关的写寄存器中的所述写数据来置位所述写释放标志中的有关的写释放标志；以及写放大器(23)，其用于当响应控制信号中断所述突发周期时，有选择地并行写入所述写数据，该写数据包含在与所述写释放标志中的被置位的写释放标志有关的所述写寄存器(22)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储器阵列；一组写寄存器；输入缓冲器，用于在突发周期期间顺序地接收一系列写数据，并且将所述写数据写入到所述写寄存器的有关写寄存器中；写释放寄存器，其包含分别与所述写寄存器有关的一组写释放标志；写释放寄存器控制器，其响应被写入到所述写寄存器的所述有关的写寄存器中的所述写数据来置位所述写释放标志中的有关的写释放标志；以及写放大器，其用于当响应控制信号中断所述突发周期时，有选择地并行写入所述写数据，该写数据包含在与所述写释放标志中的被置位的写释放标志有关的所述写寄存器中。
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