[发明专利]降低软性错误率的电阻性存储单元与其反相器及形成方法

摘要

本发明涉及一种降低软性错误率的电阻性存储单元与其反相器及形成方法。存储单元包括第一位元线、与第一位元线对偶的第二位元线、第一通栅、第二通栅、第一反相器、第二反相器、第一装置与第二装置。第一通栅耦接至第一位元线，第二通栅耦接至第二位元线，第一反相器的输出端透过第一通栅接收第一位元线信号，第二反相器的输出端透过第二通栅接收第二位元线信号，第一装置耦接于第一反相器的输出端与第二反相器的输入端之间，第二装置耦接于第二反相器的输出端与第一反相器的输入端之间，其中，当两反相器的输出端电压意外放电时，第一与第二装置可延长存储单元的电压放电时间。

主权项

1、一种可降低软性错误率的电阻性存储单元，所述可降低软性错误率的电阻性存储单元包括：一第一位元线；一第二位元线，为第一位元线的对偶位元线；一第一通栅，耦接至该第一位元线；一第二通栅，耦接至该第二位元线；一第一反相器，其输出端透过该第一通栅接收该第一位元线信号；一第二反相器，其输出端透过第二通栅接收第二位元线信号；一第一装置，耦接于该第一反相器的该输出端与该第二反相器的输入端之间；以及一第二装置，耦接于该第二反相器的该输出端与该第一反相器的输入端之间；其中， 当两反相器的该输出端电压意外放电时，第一与第二装置可延长该存储单元的电压放电时间。