[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510071656.3 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1758433A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 定别当裕康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L25/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件，它包括：被施加接地电位的金属箔(2、2A)；设置在所述金属箔(2、2A)上的至少一个半导体构成体(3)，其具有半导体衬底(6)和设在该半导体衬底(6)上的多个外部连接用电极(9、16)；设置在所述半导体构成体(3)周围的绝缘层(21)，其实质上与所述半导体构成体(3)的厚度相同；在所述半导体构成体(3)和所述绝缘层(21)上设置与所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(9，16)连接的至少一层上层布线(25)；和至少贯穿所述绝缘层(21)、连接所述金属箔(2、2A)和所述上层布线(25)的上下导通部分(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：金属箔(2、2A)，被施加接地电位；至少一个半导体构成体(3)，设置在所述金属箔(2、2A)上，具有半导体衬底(6)和设在该半导体衬底(6)上的多个外部连接用电极(9、16)；绝缘层(21)，设置在所述半导体构成体(3)的周围，厚度实质上与所述半导体构成体(3)的厚度相同；至少一层上层布线(25)，在所述半导体构成体(3)和所述绝缘层(21)上与所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(9，16)连接而设置；和上下导通部分(32)，至少贯穿所述绝缘层(21)而连接所述金属箔(2、2A)和所述上层布线(25)。
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