[发明专利]使用三重阱结构的基底触发的静电保护电路有效
| 申请号： | 200510070217.0 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1741269A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈孝贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护电路形成于一P型基底上，并包括：一第一p+扩散区域，设于该P型基底内；一N阱(N－well)，设于该P型基底内；一第一n+扩散区域，设于该N阱内；一P阱(P－well)，设于该N阱内；以及一NPN型双极结晶体管(Bipolar JunctionTransistor，BJT)，形成于该P阱内，该NPN型双极结晶体管的基极与发射极之间的等效电路为一不与任何电阻并联的二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 三重 结构 基底 触发 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种静电放电保护电路，形成于一P型基底上，其包括：一第一电源端；一第二电源端；一电阻，连接于该第一电源端；一电容，连接于该电阻与该第二电源端之间；一第一p+扩散区域，设于该P型基底内，且连接于该第二电源端；一N阱，设于该P型基底内；一第一n+扩散区域，设于该N阱内，且连接于该第一电源端；一P阱，设于该N阱内；至少一第二p+扩散区域、至少一第二n+扩散区域以及至少一第三n+扩散区域，设于该P阱内，该第二n+扩散区域连接于该第一电源端，该第三n+扩散区域连接于该第二电源端；以及一静电放电侦测电路，连接于第一电源端，而其输入端连接于该电阻与该电容，而其输出端连接于该第二p+扩散区域，用于输出与该输入端的信号反向的信号，以改变该P阱的电压准位。
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