[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510067671.0 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1731588A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 半田崇登;栗本一实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在衬底(101)中栅电极(104)的下侧形成有其导电型与源·漏极区域(108)不同的第一杂质层(109)，在衬底(101)中第一杂质层(109)的下侧形成有其导电型与源·漏极区域(108)不同的第二杂质层(110)。第一杂质层(109)在深度方向上的杂质浓度分布具有第一峰值，该第一峰值位于比源·漏极区域(108)的接合深度更浅的区域。第二杂质层(110)在深度方向上的杂质浓度分布具有第二峰值，该第二峰值位于比第一峰值更深而且比源·漏极区域(108)的接合深度更浅的区域。第一峰值的杂质浓度高于第二峰值的杂质浓度。因此，确实能谋求MISFET的低功耗化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成在半导体衬底上的栅电极，形成在上述半导体衬底中的上述栅电极的两侧的源·漏极区域，形成在上述半导体衬底中的上述栅电极的下侧、其导电型与上述源·漏极区域不同的第一杂质层，以及形成在上述半导体衬底中的上述第一杂质层的下侧、其导电型与上述源·漏极区域不同的第二杂质层，其特征在于：上述第一杂质层在深度方向上的杂质浓度分布具有第一峰值，上述第一峰值位于与上述源·漏极区域的接合深度相比更浅的区域，上述第二杂质层在深度方向上的杂质浓度分布具有第二峰值，上述第二峰值位于与上述第一峰值相比更深、而且与上述源·漏极区域的接合深度相比更浅的区域，上述第一峰值的杂质浓度高于上述第二峰值的杂质浓度。
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