[发明专利]掺铈氯化镧闪烁晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200510063391.2 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1847469A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郝佳;李端堂 | 申请（专利权）人： | 北京工物科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B15/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种掺铈氯化镧闪烁单晶体的制备方法，该闪烁晶体的化学组成为La1－xCexCl3 (0.01≤x≤0.2)。其特征在于初始原料采用La2O3、无水NH4Cl以及CeCl3·7H2O等易于获得的普通化工原料，经过预处理转化并熔融成锭后，装入石英安瓿瓶中，采用坩埚下降法进行掺铈氯化镧闪烁晶体的生长。该方法采用一般工业原料，生产工艺简单，所制备的晶体含氧杂质较低，具有较好的光学质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化 闪烁 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺铈氯化镧闪烁单晶体的制备方法，该闪烁晶体的化学组成为La1-xCexCl3(0.01≤x≤0.3)。其特征在于初始原料采用La2O3、无水NH4Cl以及CeCl3·7H2O等易于获得的普通化工原料，经过预处理转化并融熔成块后，装入石英安瓿瓶中，采用坩埚下降法进行掺铈氯化镧闪烁晶体的生长。
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